آئیے آج OFC2024 پر ایک نظر ڈالتے ہیں۔فوٹو ڈیٹیکٹرجس میں بنیادی طور پر GeSi PD/APD، InP SOA-PD، اور UTC-PD شامل ہیں۔
1. UCDAVIS کو ایک کمزور گونج 1315.5nm غیر ہم آہنگ Fabry-Perot کا احساس ہوافوٹو ڈیٹیکٹربہت چھوٹی گنجائش کے ساتھ، جس کا تخمینہ 0.08fF ہے۔ جب تعصب -1V (-2V) ہے، تو تاریک کرنٹ 0.72 nA (3.40 nA) ہے، اور رسپانس ریٹ 0.93a/W (0.96a/W) ہے۔ سیر شدہ آپٹیکل پاور 2 میگاواٹ (3 میگاواٹ) ہے۔ یہ 38 گیگا ہرٹز ہائی سپیڈ ڈیٹا تجربات کو سپورٹ کر سکتا ہے۔
مندرجہ ذیل خاکہ AFP PD کی ساخت کو ظاہر کرتا ہے، جو کہ Ge-on- کے ساتھ ایک ویو گائیڈ پر مشتمل ہوتا ہے۔فوٹو ڈیٹیکٹرسامنے والے SOI-Ge ویو گائیڈ کے ساتھ جو <10% کی عکاسی کے ساتھ> 90% موڈ میچنگ کپلنگ حاصل کرتا ہے۔ پیچھے ایک تقسیم شدہ بریگ ریفلیکٹر (DBR) ہے جس کی عکاسی>95% ہے۔ آپٹمائزڈ کیویٹی ڈیزائن (راؤنڈ ٹرپ فیز میچنگ کنڈیشن) کے ذریعے، اے ایف پی ریزونیٹر کی عکاسی اور ٹرانسمیشن کو ختم کیا جا سکتا ہے، جس کے نتیجے میں جی ڈیٹیکٹر تقریباً 100% تک جذب ہو جاتا ہے۔ مرکزی طول موج کی پوری 20nm بینڈوتھ پر، R+T <2% (-17 dB)۔ Ge کی چوڑائی 0.6µm ہے اور گنجائش کا تخمینہ 0.08fF ہے۔
2، ہوازہونگ یونیورسٹی آف سائنس اینڈ ٹیکنالوجی نے سلکان جرمینیم تیار کیا۔برفانی تودہ فوٹوڈیوڈ, بینڈوتھ >67 GHz، حاصل >6.6۔ ایس اے سی ایماے پی ڈی فوٹو ڈیٹیکٹرٹرانسورس پائپن جنکشن کی ساخت سلکان آپٹیکل پلیٹ فارم پر بنائی گئی ہے۔ اندرونی جرمینیم (i-Ge) اور اندرونی سلکان (i-Si) بالترتیب روشنی جذب کرنے والی پرت اور الیکٹران کو دوگنا کرنے والی پرت کے طور پر کام کرتے ہیں۔ 14µm کی لمبائی والا i-Ge خطہ 1550nm پر روشنی کے مناسب جذب کی ضمانت دیتا ہے۔ چھوٹے i-Ge اور i-Si علاقے فوٹو کرنٹ کثافت کو بڑھانے اور ہائی بائیس وولٹیج کے تحت بینڈوتھ کو بڑھانے کے لیے موزوں ہیں۔ APD آنکھ کا نقشہ -10.6 V پر ماپا گیا۔ -14 dBm کی ان پٹ آپٹیکل پاور کے ساتھ، 50 Gb/s اور 64 Gb/s OOK سگنلز کا آنکھ کا نقشہ نیچے دکھایا گیا ہے، اور ماپا SNR 17.8 اور 13.2 dB ہے۔ بالترتیب
3. IHP 8 انچ BiCMOS پائلٹ لائن کی سہولیات ایک جرمینیم دکھاتی ہیں۔PD فوٹو ڈیٹیکٹرتقریباً 100 nm کی چوڑائی کے ساتھ، جو سب سے زیادہ برقی میدان اور سب سے کم فوٹو کیرئیر ڈرفٹ ٹائم پیدا کر سکتا ہے۔ Ge PD کی OE بینڈوتھ 265 GHz@2V@ 1.0mA DC فوٹوکورنٹ ہے۔ عمل کا بہاؤ ذیل میں دکھایا گیا ہے۔ سب سے بڑی خصوصیت یہ ہے کہ روایتی SI مکسڈ آئن امپلانٹیشن کو ترک کر دیا گیا ہے، اور جرمینیم پر آئن امپلانٹیشن کے اثر سے بچنے کے لیے گروتھ ایچنگ سکیم کو اپنایا گیا ہے۔ تاریک کرنٹ 100nA،R = 0.45A/W ہے۔
4، HHI InP SOA-PD کی نمائش کرتا ہے، جو SSC، MQW-SOA اور تیز رفتار فوٹو ڈیٹیکٹر پر مشتمل ہے۔ او بینڈ کے لیے۔ PD میں 1 dB PDL سے کم کے ساتھ 0.57 A/W کی ردعمل ہے، جبکہ SOA-PD میں 1 dB PDL سے کم کے ساتھ 24 A/W کی ردعمل ہے۔ دونوں کی بینڈوتھ ~ 60GHz ہے، اور 1 GHz کے فرق کو SOA کی گونج فریکوئنسی سے منسوب کیا جا سکتا ہے۔ آنکھوں کی اصل تصویر میں پیٹرن کا کوئی اثر نہیں دیکھا گیا۔ SOA-PD مطلوبہ آپٹیکل پاور کو 56 جی باؤڈ پر تقریباً 13 ڈی بی کم کرتا ہے۔
5. ETH 60GHz@ صفر تعصب کی بینڈوتھ اور 100GHz پر -11 DBM کی اعلی آؤٹ پٹ پاور کے ساتھ، Type II میں بہتر GaInAsSb/InP UTC-PD کو نافذ کرتا ہے۔ GaInAsSb کی بہتر الیکٹران ٹرانسپورٹ کی صلاحیتوں کا استعمال کرتے ہوئے، پچھلے نتائج کا تسلسل۔ اس مقالے میں، آپٹمائزڈ جذب پرتوں میں 100 nm کا ایک بھاری ڈوپڈ GaInAsSb اور 20 nm کا ایک undoped GaInAsSb شامل ہے۔ NID پرت مجموعی ردعمل کو بہتر بنانے میں مدد کرتی ہے اور آلے کی مجموعی گنجائش کو کم کرنے اور بینڈوتھ کو بہتر بنانے میں بھی مدد کرتی ہے۔ 64µm2 UTC-PD میں 60 GHz کی صفر تعصب والی بینڈوتھ، 100 GHz پر -11 dBm کی آؤٹ پٹ پاور، اور 5.5 mA کی سنترپتی کرنٹ ہے۔ 3 V کے معکوس تعصب پر، بینڈوتھ 110 GHz تک بڑھ جاتی ہے۔
6. Innolight نے ڈیوائس ڈوپنگ، الیکٹرک فیلڈ ڈسٹری بیوشن اور فوٹو جنریٹڈ کیریئر ٹرانسفر ٹائم کو مکمل طور پر غور کرنے کی بنیاد پر جرمینیئم سلکان فوٹو ڈیٹیکٹر کا فریکوئنسی رسپانس ماڈل قائم کیا۔ بہت سے ایپلی کیشنز میں بڑی ان پٹ پاور اور ہائی بینڈوڈتھ کی ضرورت کی وجہ سے، بڑی آپٹیکل پاور ان پٹ بینڈوتھ میں کمی کا سبب بنے گی، بہترین عمل یہ ہے کہ ساختی ڈیزائن کے ذریعے جرمینیم میں کیریئر کی حراستی کو کم کیا جائے۔
7، سنگھوا یونیورسٹی نے تین قسم کے UTC-PD کو ڈیزائن کیا، (1) 100GHz بینڈوڈتھ ڈبل ڈرفٹ لیئر (DDL) ڈھانچہ جس میں اعلی سنترپتی طاقت UTC-PD، (2) 100GHz بینڈوتھ ڈبل ڈرفٹ لیئر (DCL) ڈھانچہ اعلی ردعمل کے ساتھ UTC-PD ، (3) 230 GHZ بینڈوتھ MUTC-PD اعلی کے ساتھ سنترپتی طاقت، مختلف ایپلیکیشن کے منظرناموں کے لیے، 200G دور میں داخل ہونے پر، اعلی سنترپتی طاقت، اعلی بینڈوتھ اور اعلی ردعمل مستقبل میں مفید ہو سکتی ہے۔
پوسٹ ٹائم: اگست 19-2024